Bilanz der Quelle: Intel hat die Nachfolgegeneration der Silizium-Brücken-Technologie EMIB vorgestellt, indem sie die Bump-Dichte von 45 auf 25 Mikrometer reduziert und das Paket auf 120×120-mm vergrößert. Diese Änderungen ermöglichen eine höhere Dichte an Verbindungen und können die Leistung von Chips verbessern.
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Die Inhalte dieses Artikels wurden automatisiert mittels Künstlicher Intelligenz generiert. Die zugrundeliegenden Daten stammen von en.kocpc.com.tw. Es erfolgte keine manuelle redaktionelle Bearbeitung.
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