Bilanz der Quelle: Imec präsentiert ein optimiertes Rückseitenkontakt-Modul für CFET-Bauelemente, bei denen n- und pMOS-Transistoren gestapelt sind. Der Treibstrom der unteren pFETs verdoppelt sich und die Überlebensausbeute steigt ebenfalls um den Faktor zwei. Diese Verbesserungen könnten die Effizienz der CFET-Produktion weiter steigern.
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Die Inhalte dieses Artikels wurden automatisiert mittels Künstlicher Intelligenz generiert. Die zugrundeliegenden Daten stammen von nanoic-project.eu. Es erfolgte keine manuelle redaktionelle Bearbeitung.
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