Bilanz der Quelle: Renesas hat das erste 650V-GaN-Transistor in einem doppelseitig gekühlten 8x8mm-Gehäuse für Megawatt-KI-Rechenzentren vorgestellt. Das Bauteil bietet 20 Milliohm Widerstand und ist 57 % kleiner als das 10x15mm-TOLT-Gehäuse, was die Impedanz der Oberstufe um 10 % senkt. Es wurde speziell für 800V-HVDC-Systeme entwickelt, die Mittelbus-Converter-Stufen bis zu 48V, 12V und 6V sowie Batterien speisen.
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Die Inhalte dieses Artikels wurden automatisiert mittels Künstlicher Intelligenz generiert. Die zugrundeliegenden Daten stammen von renesas.com. Es erfolgte keine manuelle redaktionelle Bearbeitung.
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