Bilanz der Quelle: IMEC hat mit ASML im High-NA-EUV-Labor gezeigt, dass metallisierte Linienstrukturen mit 20 Nanometer Pitch mehr als 90 Prozent elektrische Ausbeite liefern. ASMLs EXE:5000 hebt die numerische Apertur von 0,33 auf 0,55 und die Auflösung damit von rund 13 auf 8 Nanometer. Der praktische Nutzen liegt im Wegfall komplexer Multi-Patterning-Schritte.
🔗 Im Original weiterlesen → · 🗃 Wayback Machine (Archiv)
ℹ️ KI-Hinweis
Die Inhalte dieses Artikels wurden automatisiert mittels Künstlicher Intelligenz generiert. Die zugrundeliegenden Daten stammen von semiconductor-digest.com. Es erfolgte keine manuelle redaktionelle Bearbeitung.
Die Inhalte dieses Artikels wurden automatisiert mittels Künstlicher Intelligenz generiert. Die zugrundeliegenden Daten stammen von semiconductor-digest.com. Es erfolgte keine manuelle redaktionelle Bearbeitung.
