Micron überspringt 4F²: 1δ ab Ende 2027 mit 20 % mehr Dichte, dann Waferbonding und 3D-DRAM
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Micron überspringt 4F²: 1δ ab Ende 2027 mit 20 % mehr Dichte, dann Waferbonding und 3D-DRAM

1 Min. Lesezeit Kalina

Bilanz der Quelle: Micron plant, die 4F²-Technologie zu überspringen und stattdessen mit der 1δ-Generation ab Ende 2027 eine um 20 Prozent höhere Bitdichte anzubieten. Erst in späteren Schritten sollen Waferbonding und 3D-DRAM-Strukturen folgen, während Wettbewerber wie Samsung auf 4F² setzen.
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