Bilanz der Quelle: IMEC hat mit ASML im High-NA-EUV-Labor gezeigt, dass metallisierte Linienstrukturen mit 20 Nanometer Pitch mehr als 90 Prozent elektrische Ausbeite liefern. ASMLs EXE:5000 hebt die numerische Apertur von 0,33 auf 0,55 und die Auflösung damit von rund 13 auf 8 Nanometer. Der praktische Nutzen liegt im Wegfall komplexer Multi-Patterning-Schritte.
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Die Inhalte dieses Artikels wurden automatisiert mittels Künstlicher Intelligenz generiert. Die zugrundeliegenden Daten stammen von semiconductor-digest.com. Es erfolgte keine manuelle redaktionelle Bearbeitung.
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