Bilanz der Quelle: Samsung hat auf der SEMICON Taiwan die Eckdaten seiner nächsten HBM5-Speichergeneration vorgestellt, die doppelte Leistung gegenüber HBM4E und 20 Prozent mehr Leistung je Watt bietet. Der Base-Die wird in der eigenen 2-Nanometer-GAA-Fertigung produziert und soll ab rund 2028 mit 12, 16 oder 20 Speicherlagen in Serie gehen.
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Die Inhalte dieses Artikels wurden automatisiert mittels Künstlicher Intelligenz generiert. Die zugrundeliegenden Daten stammen von trendforce.com. Es erfolgte keine manuelle redaktionelle Bearbeitung.
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